N-CHANNEL 30V The STB200NF03T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 200A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 800A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 1.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 2.3mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (min) to 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 180nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 180mJ  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Description:**  
The STB200NF03T4 is a high-performance N-channel power MOSFET optimized for low on-resistance and high current handling in applications such as power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current capability (200A continuous).  
- Optimized for high-efficiency switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 30V