N-channel 200 V, 0.15 Ohm typ., 15 A MESH OVERLAY(TM) Power MOSFET in D2PAK package The STB19NF20 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 76A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.13Ω (at V_GS = 10V, I_D = 9.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The STB19NF20 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-state resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-channel 200 V, 0.15 Ohm typ., 15 A MESH OVERLAY(TM) Power MOSFET in D2PAK package