N-CHANNEL 200V The STB19NB20 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 76A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The STB19NB20 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high-speed switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- High ruggedness  
- Low thermal resistance  
- Avalanche energy specified  
- Improved dv/dt capability  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STB19NB20.

N-CHANNEL 200V