N-CHANNEL 250V The STB16NS25T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 250 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 64 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40 pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STB16NS25T4 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage applications.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Low R_DS(on):** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees reliability under high-energy conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on STMicroelectronics' datasheet for the STB16NS25T4.

N-CHANNEL 250V