N-CHANNEL 650 V The STB16NK65Z-S is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 650 V  
- **Current Rating (I_D):** 16 A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.28 Ω (at 8 A, 10 V)  
- **Gate Charge (Q_g):** 50 nC (Typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500 pF (Typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions:**  
The STB16NK65Z-S is a high-voltage N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It utilizes ST's MDmesh™ II technology, which provides low on-resistance, fast switching, and improved ruggedness.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Improves efficiency in switching applications.  
- **Zener-Protected Gate:** Provides added protection against voltage spikes.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 650 V