N - CHANNEL 250V - 0.220ohm - 16A - TO-263 PowerMESH] MOSFET The STB16NB25 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  

### **Description:**  
The STB16NB25 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is built using STMicroelectronics' advanced PowerMESH™ technology, ensuring low on-resistance and high efficiency.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 250V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhanced ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements and improves efficiency.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching circuits.

N - CHANNEL 250V - 0.220ohm - 16A - TO-263 PowerMESH] MOSFET