N-CHANNEL 500V 0.30 OHM 14A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET The STB15NK50Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 15A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 60A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 45nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
- The STB15NK50Z is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is optimized for low gate charge and low on-resistance, improving efficiency in power conversion circuits.  
- The device is housed in a TO-263 (D²PAK) package, suitable for surface-mount applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Ruggedness:** Designed to withstand high-energy transients.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhanced performance in switching applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

N-CHANNEL 500V 0.30 OHM 14A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET