N-CHANNEL 55V The STB150NF55T4 is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 150A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 600A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **R_DS(on) (Max):** 6mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 160nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Provides high efficiency in power switching applications.  
- **High Current Capability:** Supports high current loads with low conduction losses.  
- **Avalanche Rated:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **Fast Switching Performance:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Logic Level Gate Drive:** Can be driven with lower gate voltages.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and automotive systems.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STB150NF55T4.

N-CHANNEL 55V