N-CHANNEL 600V The STB14NK60Z is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 45nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The STB14NK60Z is a high-voltage MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is part of STMicroelectronics' MDmesh™ technology, which provides low on-resistance and fast switching performance. It is suitable for applications such as power supplies, motor control, and lighting.

### **Features:**
- **Low gate charge** for reduced switching losses  
- **Low on-resistance** for improved efficiency  
- **Fast switching performance**  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **100% avalanche tested**  
- **Zener-protected gate** for improved robustness  
- **TO-263 (D2PAK) package** for efficient thermal dissipation  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 600V