N-CHANNEL 600V The **STB13NK60ZT4** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 130pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The **STB13NK60ZT4** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low gate charge, fast switching speed, and low on-resistance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **Zener-protected** gate for enhanced ruggedness  
- **100% avalanche tested** for reliability  
- **Low gate charge** for reduced switching losses  
- **Fast switching performance**  
- **High dv/dt capability**  
- **TO-220FP (isolated tab) package**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. No additional suggestions or guidance are provided.

N-CHANNEL 600V