N-CHANNEL 600V The STB13NK60Z-1 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**
- The STB13NK60Z-1 is a high-voltage MOSFET designed for switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  
- The device is suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**
- **Low gate charge** for improved switching performance.  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **100% avalanche tested** for robustness.  
- **Fast intrinsic diode** for reduced reverse recovery losses.  
- **TO-220FP package** for efficient thermal dissipation.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.

N-CHANNEL 600V