N-CHANNEL 500V The **STB12NM50T4** is an N-channel MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11.5 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 46 A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 190 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min) to 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**
- The **STB12NM50T4** is a **500V N-channel MOSFET** designed for high-voltage switching applications.  
- It is optimized for **low on-resistance (R_DS(on))** and **fast switching performance**.  
- Suitable for **power supplies, motor control, lighting, and industrial applications**.  

### **Features:**
- **High voltage capability (500V)**  
- **Low gate charge (Qg)** for improved efficiency  
- **Avalanche ruggedness** for reliability in harsh conditions  
- **100% avalanche tested**  
- **Low intrinsic capacitance** for reduced switching losses  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

The **STB12NM50T4** is available in a **TO-263 (D2PAK)** package.  

(Data sourced from **STMicroelectronics official documentation**.)

N-CHANNEL 500V