N-CHANNEL 500V 0.32 OHM 12A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDMESH POWER MOSFET The STB12NM50FDT4 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STB12NM50FDT4 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for use in power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge:** Ensures reduced switching losses.  
- **Avalanche Ruggedness:** Provides high reliability in harsh conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees robustness in inductive load switching.  
- **Low R_DS(on):** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **TO-220FP Package:** Offers good thermal dissipation and mechanical strength.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 500V 0.32 OHM 12A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDMESH POWER MOSFET