N-CHANNEL 500V The STB12NM50 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
- The STB12NM50 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications.  
- It features low gate charge and fast switching performance.  
- The device is housed in a TO-263 (D2PAK) package, suitable for surface-mount applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-efficiency power conversion.  
- **Avalanche Rugged:** Ensures reliability in harsh conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees robustness in inductive load applications.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 500V