STB120NF10T4

N-CHANNEL 100V The STB120NF10T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Part Number:** STB120NF10T4  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 110nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5800pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions:**  
- The STB120NF10T4 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for high-current, high-efficiency power switching applications.  
- It utilizes STMicroelectronics' MDmesh™ II technology, which provides low on-resistance and high switching performance.  
- Suitable for applications such as DC-DC converters, motor control, and power management in industrial and automotive systems.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 120A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 100V