N-CHANNEL 800 V The STB11NM80T4 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The STB11NM80T4 is a high-voltage MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and industrial applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (800V)**  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for reduced switching losses  
- **Avalanche-Rugged Technology** for improved reliability  
- **100% Avalanche Tested**  
- **Low R_DS(on)** for better conduction efficiency  
- **Fast Switching Speed**  
- **TO-263 (D2PAK) Package** for surface-mount applications  

This MOSFET is RoHS compliant and halogen-free.  

(Source: STMicroelectronics datasheet)

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