N-CHANNEL 800 V The STB11NM80 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The STB11NM80 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge, fast switching, and high ruggedness, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Suitable for surface-mount applications  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STB11NM80.

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