N-Channel 600V The STB11NM60T4 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 28nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 35pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STB11NM60T4 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It offers low on-resistance, fast switching performance, and high efficiency, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low Gate Charge**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Ruggedness**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel 600V