### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 35pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage Capability:** Suitable for applications requiring up to 400V.  
- **Low On-Resistance:** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures reliability under harsh conditions.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, lighting, and other high-voltage switching circuits.  

This MOSFET is designed for efficiency and robustness in high-voltage environments.