N-CHANNEL 600V The STB10NK60Z is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 28nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
- **Technology:** MDmesh™ (ST’s advanced power MOSFET technology)  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  
- **Application:** Designed for high-efficiency switching applications.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge:** Ensures reduced switching losses.  
- **High Voltage Capability:** Suitable for high-voltage applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low R_DS(on):** Improves conduction efficiency.  

This information is strictly based on the manufacturer’s datasheet.

N-CHANNEL 600V