N-CHANNEL 600V The STB10NK60Z-1 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **R_DS(on) (Max):** 0.65Ω @ V_GS = 10V  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions:**  
- The STB10NK60Z-1 is a high-voltage MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is part of ST’s MDmesh™ technology, offering low on-resistance and high switching performance.  
- Suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for improved switching efficiency.  
- **Fast switching** performance.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **100% avalanche tested** for robustness.  
- **Low intrinsic capacitances** to minimize switching losses.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

N-CHANNEL 600V