N-CHANNEL 500V The **STB10NC50T4** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The **STB10NC50T4** is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and other industrial applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (500 V)**  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for efficient switching  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **100% Avalanche Tested** for reliability  
- **TO-263 (D²PAK) Package** for improved thermal performance  

This MOSFET is optimized for high-efficiency power conversion and robust operation in demanding environments.

N-CHANNEL 500V