N-CHANNEL 30V The STB100NF03L-03T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** STripFET™ III Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **R_DS(on) (Max):** 3.0 mΩ at V_GS = 10 V  
- **R_DS(on) (Max):** 3.5 mΩ at V_GS = 4.5 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5 V (Min) – 2.5 V (Max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110 nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4800 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300 pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STB100NF03L-03T4.

N-CHANNEL 30V