8/16-BIT MICROCONTROLLER (MCU) WITH 16 TO 64K ROM, OTP OR EPROM, 512 TO 2K RAM The **ST90T158M9Q6** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (STM)  
- **Part Number:** ST90T158M9Q6  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ M9  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 8A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 32A  
- **Power Dissipation (PD):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.58Ω (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 8pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  
### **Descriptions & Features:**
- **High Voltage Capability:** Designed for high-voltage applications (900V).  
- **Low On-Resistance:** Optimized RDS(on) for reduced conduction losses.  
- **MDmesh™ M9 Technology:** Enhances switching efficiency and thermal performance.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche-Rugged:** Improved reliability under harsh conditions.  
- **Applications:** Used in power supplies, inverters, motor control, and industrial systems.  
This information is based on STMicroelectronics' official documentation. For detailed datasheets, refer to STM's official website.