Photo transistors(high-sensitivity NPN silicon phototransistor mounted in a clear sidelooking) The part **ST-23G** is manufactured by **KODENSHI**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Infrared Emitting Diode (IRED)  
- **Wavelength:** 940 nm (typical)  
- **Forward Voltage (Vf):** 1.35 V (typical)  
- **Forward Current (If):** 50 mA (max)  
- **Radiant Intensity:** 35 mW/sr (min) at 50 mA  
- **Viewing Angle:** ±20°  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 3 mm round lens, lead-free  

### **Descriptions:**  
- The **ST-23G** is a high-efficiency infrared LED designed for applications requiring reliable IR emission.  
- It is commonly used in remote controls, optical sensors, and industrial automation systems.  

### **Features:**  
- High radiant intensity output  
- Low forward voltage for energy efficiency  
- Wide operating temperature range  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed electrical and optical characteristics, refer to the official KODENSHI datasheet.

Photo transistors(high-sensitivity NPN silicon phototransistor mounted in a clear sidelooking)