High voltage fast-switching NPN power transistor Applications32 • Electronic ballast for fluorescent lighting (CFL)1• SMPS for battery chargerSOT-32DescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high C(2)switching speeds and high voltage capability.It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.B(3)E(1)SC06960rTable 1. Device summaryPart number Marking Package PackagingST13003 13003 SOT-32 TubeST13003-K 13003 SOT-32 BagJune 2013 DocID13533 Rev 5 1/10This is information on a product in full production. www.st.comElectrical ratings ST13003, ST13003-K1 Electrical ratingsTable 2.

High voltage fast-switching NPN power transistor

High voltage fast-switching NPN power transistor Electrical characteristicsSymbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. UnitV = 700 V 1 mACollector cut-off current CE ICES(V = 0)V = 700 V      T = 125 °C 5 mABECE CEmitter-Base breakdown  V I = 10 mA 9 18 V(BR)EBO E voltage (I = 0)CCollector-emitter (1)V I = 10 mA 400 VCEO(sus) C sustaining voltage (I = 0)BI = 0.5 A       _ I = 0.1 A 0.5 VC B Collector-emitter (1)V I = 1 A     _   _ I = 0.25 A 1 VCE(sat) C B saturation voltageI = 1.5 A  _   _ I = 0.5 A 1.5 VC B I = 0.5 A       _ I = 0.1 A 1 VBase-emitter saturation C B (1)VBE(sat) voltageI = 1 A     _   _ I = 0.25 A 1.2 VC B I = 0.5 A          V = 2 V 8 20C CE h DC current gainFE I = 1 A             V = 2 V 5 25C CE Resistive loadV = 125 V      I = 1 ACC C t Rise time 1μsrI = 0.2 A         I = - 0.2 AB1 B2 t Storage time 4μsst = 25 μsp t Fall time 0.7μsfI = 1 A             I = 0.2 AC B1 Inductive loadV = - 5 V        L = 50 mHBE  t Storage time 0.8μssV = 300 VClamp1. Pulsed duration = 300 μs, duty cycle ≤ 1.5%DocID13533 Rev 5 3/1010

High voltage fast-switching NPN power transistor

High voltage fast-switching NPN power transistor Absolute maximum ratingsSymbol Parameter Value UnitV Collector-emitter voltage (V = 0) 700 VCES BEV Collector-emitter voltage (I = 0) 400 VCEO BV Emitter-base voltage (I = 0, I = 0.75 A, t < 10 μs) V VEBO C B P (BR)EBOI Collector current 1.5 ACI Collector peak current (t < 5 ms) 3 ACM PI Base current 0.75 ABI Base peak current (t < 5 ms) 1.5 ABM PP Total dissipation at T = 25 °C 40 WTOT CT Storage temperature -55 to 150 °CSTGT Operating junction temperature -40 to 150 °CJTable 3. Thermal dataSymbol Parameter Value UnitR Thermal resistance junction-case max. 3.1 °C/WthJC2/10 DocID13533 Rev 5ST13003, ST13003-K

High voltage fast-switching NPN power transistor