600V N-Channel MOSFET FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect • 9.0A, 600V, R = 0.8Ω @V = 10 VDS(on) GStransistors are produced using Fairchild’s proprietary,• Low gate charge ( typical 54 nC)planar, DMOS technology.• Low Crss ( typical  32 pF)This advanced technology has been especially tailored to• Fast switchingminimize on-state resistance, provide superior switching• 100% avalanche testedperformance, and withstand high energy pulse in the• Improved dv/dt capabilityavalanche and commutation mode. These devices are wellsuited for high efficiency switch mode power supplies.DD!!!!!!!!● ● ● ● ● ● ● ●◀ ◀ ◀ ◀ ◀ ◀ ◀ ◀▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ▲● ● ● ● ● ● ● ●G!!!!!!!!● ● ● ●● ● ● ●2 2GS  D -PAK  I -PAKGS DSSW Series SSI Series!!!!!!!!SAbsolute Maximum Ratings     T = 25°C unless otherwise notedCSymbol Parameter SSW10N60B / SSI10N60B UnitsV Drain-Source Voltage 600 VDSSI - Continuous (T = 25°C)Drain Current 9.0 AD C- Continuous (T = 100°C)5.7 ACI (Note 1)Drain Current - Pulsed 36 ADMVGate-Source Voltage ± 30 VGSSE (Note 2)Single Pulsed Avalanche Energy 520 mJASIAvalanche Current (Note 1) 9.0 AARE (Note 1)Repetitive Avalanche Energy 15.6 mJARdv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3) 5.5 V/nsPower Dissipation  (T = 25°C) *3.13 WP ADPower Dissipation  (T = 25°C)156 WC- Derate above 25°C 1.25 W/°CT , TOperating and Storage Temperature Range -55 to +150 °CJ stgMaximum lead temperature for soldering purposes,T 300 °CL1/8" from case for 5 secondsThermal Characteristics Symbol Parameter Typ Max UnitsRThermal Resistance, Junction-to-Case -- 0.8 °C/WθJCRThermal Resistance, Junction-to-Ambient * -- 40 °C/WθJARThermal Resistance, Junction-to-Ambient -- 62.5 °C/WθJA* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)2001 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. B, November 2001SSW10N60B / SSI10N60B

600V N-Channel MOSFET