Amplifier General Purpose S-04030—Rev. D, 04-Jun-019-3I I – Drain Current (mA)– Drain Current (mA) I – Saturation Drain Current (mA)D DDSSI I– Drain Current (mA) – Drain Current (mA) r – Drain-Source On-Resistance ( Ω )D DDS(on)2N/SST5460 SeriesVishay Siliconix
     Transfer Characteristics Transfer Characteristics–5 –10V = 1.5 V V = –15 V V = 3 V V = –15 VGS(off) DS GS(off) DS–4 –8–3 –6T = –55CAT = –55CA–2 –425C25C–1 –2125C 125C0 00 0.4 0.8 1.2 1.6 2 0123 4 5V – Gate-Source Voltage (V) V – Gate-Source Voltage (V)GS GSOn-Resistance vs. Drain Current Gate Leakage Current10 nA1000T = 25CA–5 mA1 nA800T = 125CAV = 1.5 VGS(off)100 pA –1 mA600I @ 125CGSS3 V–0.1 mA10 p A400–5 mAT = 25CA4 VI @ 25CGSS1 pA20000.1 pA–0.1 –1 –100 –10 –20 –30 –40 –50I – Drain Current (mA) V – Drain-Gate Voltage (V)DGDTransconductance vs. Gate-Source Voltage Transconductance vs. Gate-Source Voltage5 5V = 1.5 V V = –15 V V = 3 V V = –15 VGS(off) DS GS(off) DSf = 1 kHz f = 1 kHz4 4T = –55CAT = –55CA25C3 32 225C125C1 1125C0 00 0.4 0.8 1.2 1.6 2 0123 4 5V – Gate-Source Voltage (V) V – Gate-Source Voltage (V)GS GSDocument Number:  70262

Amplifier General Purpose