N-Channel JFET Switch S-04028—Rev. F, 04-Jan-017-3I – Saturation Drain Current (mA)DSS2N/PN/SST4391 SeriesVishay Siliconix
     On-Resistance and Drain Currentvs. Gate-Source Cutoff VoltageOn-Resistance vs. Drain Current100 100200r @ I = 1 mA, V = 0 VDS D GST = 25CAI @ V = 20 V, V = 0 VDSS DS GS80 160 80I V = –2 VDSS GS(off)rDS60 120 6040 80 40–4 V–8 V20 40 2000 00 –2 –4 –6 –8 –10 1 10 100V – Gate-Source Cutoff Voltage (V) I – Drain Current (mA)GS(off) DTurn-On SwitchingOn-Resistance vs. Temperature5200t approximately independent of II = 1 mAr DDV = 5 V, R = 50 Wr changes X 0.7%/C DD GDSV = –10 VGS(L)1604tr1203t @d(on)V = –2 VGS(off)I = 12 mAD802–4 Vt @d(on)–8 V40 1 I = 3 mAD00–55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 125 0 –2 –4 –6 –8 –10T – Temperature (_C) V – Gate-Source Cutoff Voltage (V)A GS(off)Capacitance vs. Gate-Source VoltageTurn-Off Switching30 30t independent of device Vd(off) GS(off) f = 1 MHzV = 5 V, V = –10 VDD GS(L) V = 0 VDS242418 18V = –2 VGS(off)tf12 12td(off)Ciss6 6V = –8 V CGS(off) rss0 001 24 6 80 0 –4 –8 –12 –16 –20I – Drain Current (mA) V – Gate-Source Voltage (V)D GSDocument Number:  70241

N-Channel JFET Switch