P-Channel, Single, JFET Switch(SMT) S-04030—Rev. E, 04-Jun-019-2J/SST174/175/176/177 SeriesVishay Siliconix
  !      LimitsJ/SST176 J/SST177aParameter Symbol Test Conditions Typ Min Max Min Max UnitStaticGate-Source Breakdown Voltage V I = 1 A , V = 0 V 45 30 30(BR)GSS G DSVGate-Source Cutoff Voltage V V = –15 V, I = –10 nA 1 4 0.8 2.25GS(off) DS DbSaturation Drain Current I V = –15 V, V = 0 V –2 –35 –1.5 –20 mADSS DS GSV = 20 V, V = 0 V 0.01 1 1GS DSGate Reverse Current IGSST = 125C 5AGate Operating Current I V = –15 V, I = –1 mA 0.01nAG DG DV = –15 V, V = 10 V –0.01 –1 –1DS GSDrain Cutoff Current ID(off)T = 125C –5ADrain-Source On-Resistance r V = 0 V, V = –0.1 V 250 300 
DS(on) GS DSGate-Source Forward Voltage V I = –1 mA , V = 0 V –0.7 VGS(F) G DSDynamicCommon-Sourceg 4.5 mSfsV = –15 V, I = –1 mAForward TransconductanceDS Df = 1 kHzCommon-Source Output Conductance g 20 SosDrain-Source On-Resistance r V = 0 V, I = 0 mA , f = 1 kHz 250 300 
ds(on) GS DCommon-Source Input Capacitance C V = 0 V, V = 0 V, f = 1 MHz 20iss DS GSpFCommon-Source V = 0 V, V = 10 VDS GSC 5rssReverse Transfer Capacitance f = 1 MHzV = –10 V, I = –1 mA nV⁄DG DEquivalent Input Noise Voltage e 20n f = 1 kHz √HzSwitchingt 10d(on)Turn-On Timet 15r V = 0 V, V = 10 VGS GS(L (L) ) GS GS(H (H) )nsSee Switching Circuitt 10d(off)Turn-Off Timet 20fNotesa. Typical values are for DESIGN AID ONLY, not guaranteed nor subject to production testing. PSCIAb. Pulse test:  PW 
300 s duty cycle 
3%.Document Number:  70257

P-Channel, Single, JFET Switch(SMT)