P-Channel JFET Switch S-04030—Rev. E, 04-Jun-019-1J/SST174/175/176/177 SeriesVishay Siliconix  1Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 V Lead Temperature ( / ” from case for 10 sec.) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300C16Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 VaPower Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350 mWGate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50 mAStorage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150CNotesOperating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150C a. Derate 2.8 mW/C above 25C
        LimitsJ/SST174 J/SST175aParameter Symbol Test Conditions Typ Min Max Min Max UnitStaticGate-Source Breakdown Voltage V I = 1 A , V = 0 V 45 30 30(BR)GSSG DSVGate-Source Cutoff Voltage V V = –15 V, I = –10 nA 5 10 3 6GS(off) DS DbSaturation Drain Current I V = –15 V, V = 0 V –20 –135 –7 –70 mADSS DS GSV = 20 V, V = 0 V 0.01 1 1GS DSGate Reverse Current IGSST = 125C 5AGate Operating Current I V = –15 V, I = –1 mA 0.01 nAG DG DV = –15 V, V = 10 V –0.01 –1 –1DS GSDrain Cutoff Current ID(off)T = 125C –5ADrain-Source On-Resistance r V = 0 V, V = –0.1 V 85 125 
DS(on) GS DSGate-Source Forward Voltage V I = –1 mA , V = 0 V –0.7 VGS(F) G DSDynamicCommon-Sourceg 4.5 mSfsForward TransconductanceV V =  = – –15 V 15 V, , I I =  = – –1 mA 1 mADS DS D Df = 1 kHzCommon-Sourceg 20SosOutput ConductanceDrain-Source On-Resistance r V = 0 V, I = 0 mA , f = 1 kHz 85 125 
ds(on) GS DCommon-Source Input Capacitance C V = 0 V, V = 0 V, f = 1 MHz 20iss DS GSpFCommon-Source V = 0 V, V = 10 VDS GSC 5rssReverse Transfer Capacitance f = 1 MHzV = –10 V, I = –1 mA nV⁄DG DEquivalent Input Noise Voltage e 20n f = 1 kHz √HzSwitchingt 10d(on)Turn-On Timet 15r V = 0 V, V = 10 VGS GS(L (L) ) GS GS(H (H) )nsSee Switching Circuitt 10d(off)Turn-Off Timet 20fNotesa. Typical values are for DESIGN AID ONLY, not guaranteed nor subject to production testing. PSCIAb. Pulse test:  PW 
300 s duty cycle 
3%.Document Number:  70257

P-Channel JFET Switch

P-Channel JFET Switch S-04030—Rev. E, 04-Jun-019-3gos – Output Conductance (S)I – Saturation Drain Current (mA)DSSJ/SST174/175/176/177 SeriesVishay Siliconix
      On-Resistance and Drain Current Forward Transconductance and Output Conductancevs. Gate-Source Cutoff Voltage vs. Gate-Source Cutoff Voltage200–100 18 250g and g @ V = –15 VDSfs osIV = 0 V, f = 1 kHzDSS GS160 –8015 200gfsrDS120 –6012 150gos80 –409 10040 –206 50r @ I = –1 mA, V = 0 VDS D GSI @ V = –15 V, V = 0 VDSS DS GS0 0 3 006 2 4 810 0 2 4 68 10V – Gate-Source Cutoff Voltage (V) V – Gate-Source Cutoff Voltage (V)GS(off) GS(off)Output Characteristics On-Resistance vs. Drain Current250–25V = 3 V T = 25CGS(off)V = 0 V AGS200–20V = 1.5 VGS(off)0.5 V150–153 V1.0 V100–105 V1.5 V50–52.0 V00–4 –80 –12 –16 –20 –1 –10 –100V – Drain-Source Voltage (V) I – Drain Current (mA)DS DOutput Characteristics On-Resistance vs. Temperature–2 300I = –1 mADV = 0 VGSr changes X 0.7%/CDS1.5 V2400.5 V–1.61.0 V180–1.2V = 1.5 VGS(off)2.0 V3 V120–0.85 V60–0.4V = 3 VGS(off)0 00 –0.1 –0.2 –0.3 –0.4 –0.5 –55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 125V – Drain-Source Voltage (V) T – Temperature (C)DS ADocument Number:  70257

P-Channel JFET Switch