Switch S-04028—Rev. E, 04-Jun-017-3Switchng Time (ns)r – Drain-Source On-Resistance ( Ω ) r – Drain-Source On-Resistance ( Ω )DS(on) DS(on)ISwitching Time (ns) – Drain Current (mA)D r – Drain-Source On-Resistance ( Ω )DS(on)g – Output Conductance ( S)osJ/SST108 SeriesVishay Siliconix
     Capacitance vs. Gate-Source Voltage Transconductance vs. Drain Current100100V = –4 VGS(off)V = 0 VDSf = 1 MHz80T = –55CA25C6010125C40Ciss20 Crss V = 5 VDSf = 1 kHz0 10 –4 –8 –12 –16 –20 1 10 100V – Gate-Source Voltage (V) I – Drain Current (mA)GS DForward Transconductance and Output Conductancevs. Gate-Source Cutoff VoltageNoise Voltage vs. Frequency200 10050g and g @ V = 5 V V = 5 Vfs os DS DSV = 0 V, f = 1 kHzGS160 4012030gfs1080 20gosI = 10 mADµ40 1040 mA0 0 10 –2 –4 –6 –8 –10 10 100 1 k 10 k 100 kV – Gate-Source Cutoff Voltage (V) f – Frequency (Hz)GS(off)Gate Leakage Current Common Gate Input Admittance100 nA100T = 125CAgig10 nA5 mA I =10 mAD101 nA1 mAI @ 125CGSS100 pA5 mA1T = 25C bAig1 mA10 pA10 mAT = 25CAV = 20 VDGI = 20 mAI @ 25C DGSS1 pA0.104 8 12 16 2010 20 50 100f – Frequency (MHz)V – Drain-Gate Voltage (V)DGDocument Number:  70231

Switch