Low Noise/Low Voltage S-20517—Rev. D, 15-Apr-026-3I – Drain Current (
A) I – Saturation Drain Current (mA)D DSSg – Forward Transconductance (mS)fsI – Gate Leakage (A)GI – Drain Current (
A)DSST200/200ANew ProductVishay SiliconixTYPICAL CHARACTERISTICS (T = 25C UNLESS OTHERWISE NOTED)ACircuit Voltage Gain vs. Drain Current On-Resistance vs. Drain Current200 2000g Rfs LA V1 R gosL160 1600Assume V = 15 V, V = 5 VDD DS10 VV = –0.7 VGS(off)R IL120D 120080 800V = –0.7 VGS(off)–1.5 V–1.5 V40 400000.01 0.1 1 0.01 0.1 1I – Drain Current (mA) I – Drain Current (mA)D DCommon-Source Input Capacitance Common-Source Reverse Feedback Capacitancevs. Gate-Source Voltage vs. Gate-Source Voltage10 5f = 1 MHz f = 1 MHz8 436V = 0 VV = 0 VDSDS4 210 V2 110 V0 00 –4 –8 –12 –16 –20 0 –4 –8 –12 –16 –20V – Gate-Source Voltage (V) V – Gate-Source Voltage (V)GS GSOutput CharacteristicsEquivalent Input Noise Voltage vs. Frequency20 300V = 10 V V = –0.7 VDS GS(off)V = 0 VGS24016–0.1µI @ 100 
AD 18012–0.21208V = 0 VGS–0.3–0.5604–0.4000 0.510 100 1 k 10 k 100 k 0.1 0.2 0.3 0.4V – Drain-Source Voltage (V)f – Frequency (Hz)DSDocument Number:  70976

Low Noise/Low Voltage