Advanced Power MOSFET FEATURESBV  =  700 VDSS   Avalanche  Rugged  TechnologyR =  1.8 ΩDS(on)     Rugged  Gate  Oxide  Technology    Lower  Input  CapacitanceI  =  4 AD   Improved  Gate  Charge   Extended  Safe  Operating  AreaTO-220F   Lower  Leakage  Current  :  25 μA (Max.)  @  V = 700VDS   Low  R :  1.552 Ω (Typ.)DS(ON) 1231.Gate  2. Drain  3. SourceAbsolute  Maximum  RatingsSymbol Characteristic Value UnitsV Drain-to-Source Voltage 700VDSSΟContinuous  Drain  Current  (T =25 C) 4CIADΟContinuous  Drain  Current  (T =100 C) 2.5C24Drain  Current-Pulsed                              I ADMGate-to-Source  Voltage +V 1 _ 30VGS O560E Single  Pulsed  Avalanche  Energy         mJ2ASOAvalanche  Current                                  4IAAR1ORepetitive  Avalanche  Energy                4E mJAR1OPeak  Diode  Recovery  dv/dt               2.5dv/dtV/ns3OΟ40WTotal  Power  Dissipation  (T =25 C )CPD0.32ΟLinear  Derating  FactorW/ COperating  Junction  and- 55  to  +150T , TJ  STGStorage  Temperature  RangeΟCMaximum  Lead  Temp.  for  Soldering300TLPurposes,  1/8“ from  case  for  5-secondsThermal  ResistanceSymbol Characteristic Typ. Max.UnitsRJunction-to-Case -- 3.13θJCΟC/WRθ Junction-to-Ambient -- 62.5JARev. B1999 Fairchild Semiconductor CorporationN-CHANNELSSS6N70APOWER MOSFETΟ

Advanced Power MOSFET

Advanced Power MOSFET SSS6N70AAdvanced  Power  MOSFET

Advanced Power MOSFET