200V N-Channel MOSFET FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect • 35A, 200V, R = 0.065Ω @V = 10 VDS(on) GStransistors are produced using Fairchild’s proprietary,• Low gate charge ( typical 133 nC)planar, DMOS technology.• Low Crss ( typical  120 pF)This advanced technology has been especially tailored to• Fast switchingminimize on-state resistance, provide superior switching• 100% avalanche testedperformance, and withstand high energy pulse in the• Improved dv/dt capabilityavalanche and commutation mode. These devices are wellsuited for high efficiency switching DC/DC converters,switch mode power supplies, DC-AC converters foruninterrupted power supply and motor control.DG TO-220 TO-220FG D SG DSSSP Series SSS SeriesSAbsolute Maximum Ratings     T = 25°C unless otherwise notedCSymbol Parameter SSP45N20B SSS45N20B UnitsV Drain-Source Voltage 200 VDSSI - Continuous (T = 25°C)Drain Current 35 35 * AD C- Continuous (T = 100°C)22.2 22.2 * ACI (Note 1)Drain Current - Pulsed 140 140 * ADMVGate-Source Voltage ± 30 VGSSE (Note 2)Single Pulsed Avalanche Energy 650 mJASIAvalanche Current (Note 1) 35 AARE (Note 1)Repetitive Avalanche Energy 17.6 mJARdv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3) 5.5 V/nsP Power Dissipation (T = 25°C)176 57 WD C- Derate above 25°C 1.41 0.45 W/°CT , TOperating and Storage Temperature Range -55 to +150 °CJ STGMaximum lead temperature for soldering purposes,T300 °CL1/8" from case for 5 seconds* Drain current limited by maximum junction temperature.Thermal Characteristics Symbol Parameter SSP45N20B SSS45N20B UnitsRThermal Resistance, Junction-to-Case Max. 0.71 2.2 °C/WθJCRThermal Resistance, Case-to-Sink Typ. 0.5 -- °C/WθCSRThermal Resistance, Junction-to-Ambient Max. 62.5 62.5 °C/WθJA2001 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. A, November 2001SSP45N20B/SSS45N20B

200V N-Channel MOSFET