600V N-Channel B-FET / Substitute of SSP1N60A FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect • 0.9A, 600V, R = 12Ω @V = 10 VDS(on) GStransistors are produced using Fairchild’s proprietary,• Low gate charge ( typical 5.9 nC)planar, DMOS technology.• Low Crss ( typical  3.6 pF)This advanced technology has been especially tailored to• Fast switchingminimize on-state resistance, provide superior switching• 100% avalanche testedperformance, and withstand high energy pulse in the• Improved dv/dt capabilityavalanche and commutation mode. These devices are wellsuited for high efficiency switch mode power supplies.D!!!!!!!!D● ● ● ● ● ● ● ●◀ ◀ ◀ ◀ ◀ ◀ ◀ ◀▲ ▲ ▲ ▲▲ ▲ ▲ ▲● ● ● ● ● ● ● ●!!!!!!!!G● ● ● ● ● ● ● ●   I-PAK D-PAKGSSSR Series SSU SeriesGS D!!!!!!!!SAbsolute Maximum Ratings     T = 25°C unless otherwise notedCSymbol Parameter SSR1N60B / SSU1N60B UnitsV Drain-Source Voltage 600 VDSSI - Continuous (T = 25°C)Drain Current 0.9 AD C- Continuous (T = 100°C)0.57 ACI (Note 1)Drain Current - Pulsed 3.0 ADMVGate-Source Voltage ± 30 VGSSE (Note 2)Single Pulsed Avalanche Energy 50 mJASIAvalanche Current (Note 1) 0.9 AARE (Note 1)Repetitive Avalanche Energy 2.8 mJARdv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3) 5.5 V/nsPower Dissipation (T = 25°C) *2.5 WP ADPower Dissipation (T = 25°C)28 WC- Derate above 25°C 0.22 W/°CT , TOperating and Storage Temperature Range -55 to +150 °CJ stgMaximum lead temperature for soldering purposes,T 300 °CL1/8" from case for 5 secondsThermal Characteristics Symbol Parameter Typ Max UnitsRThermal Resistance, Junction-to-Case -- 4.53 °C/WθJCRThermal Resistance, Junction-to-Ambient * -- 50 °C/WθJARThermal Resistance, Junction-to-Ambient -- 110 °C/WθJA* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)2001 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. B, November 2001SSR1N60B / SSU1N60B

600V N-Channel B-FET / Substitute of SSP1N60A