Advanced Power MOSFET FEATURESBV  =  800 VDSS   Avalanche  Rugged  TechnologyR =  2.0 ΩDS(on)     Rugged  Gate  Oxide  Technology    Lower  Input  CapacitanceI  =  6 AD   Improved  Gate  Charge   Extended  Safe  Operating  AreaTO-220   Lower  Leakage  Current  :  25 μA (Max.)  @  V = 800VDS   Low  R :  1.472 Ω (Typ.)DS(ON) 1231.Gate  2. Drain  3. Source 1.Gate  2. Drain  3. SourceAbsolute  Maximum  RatingsSymbol Characteristic Value UnitsV Drain-to-Source Voltage 800VDSS  ΟContinuous  Drain  Current  (T =25 C) 6CIADΟContinuous  Drain  Current  (T =100 C) 3.8CI 1 24Drain  Current-Pulsed                              O ADM +V Gate-to-Source  Voltage _ 30VGS2 480E Single  Pulsed  Avalanche  Energy         mJOASI Avalanche  Current                                  1 6AAR OERepetitive  Avalanche  Energy                16 mJAR 1Odv/dt Peak  Diode  Recovery  dv/dt               3 2.0V/nsOΟTotal  Power  Dissipation  (T =25 C) 160 WCPDΟLinear  Derating  Factor 1.28W/ COperating  Junction  andT , T - 55  to  +150J  STGStorage  Temperature  RangeΟCMaximum  Lead  Temp.  for  SolderingT 300LPurposes,  1/8“ from  case  for  5-secondsThermal  ResistanceSymbol Characteristic Typ. Max. UnitsRθ Junction-to-Case -- 0.78JCΟRθ Case-to-Sink 0.5 --CS C/WRθ Junction-to-Ambient -- 62.5JARev. B1999 Fairchild Semiconductor CorporationN-CHANNELSSP6N80APOWER MOSFETΟ

Advanced Power MOSFET