700V N-Channel A-FET FEATURESBV  =  700 VDSS   Avalanche  Rugged  TechnologyR =  1.8 ΩDS(on)     Rugged  Gate  Oxide  Technology    Lower  Input  CapacitanceI  =  6 AD   Improved  Gate  Charge   Extended  Safe  Operating  AreaTO-220   Lower  Leakage  Current  :  25 μA (Max.)  @  V = 700VDS   Low  R :  1.552 Ω (Typ.)DS(ON) 1231.Gate  2. Drain  3. SourceAbsolute  Maximum  RatingsSymbol Characteristic Value UnitsV Drain-to-Source Voltage700 VDSSΟContinuous  Drain  Current  (T =25 C )6CIADΟContinuous  Drain  Current  (T =100 C)3.8CIDrain  Current-Pulsed                              24 ADMV Gate-to-Source  Voltage1 VGSOE Single  Pulsed  Avalanche  Energy         2 582mJAS OI Avalanche  Current                                  6 AAR 1OE Repetitive  Avalanche  Energy                mJ1 13AR Odv/dt Peak  Diode  Recovery  dv/dt               32.5 V/nsOΟTotal  Power  Dissipation  (T =25 C) W130CPDΟLinear  Derating  Factor1.04 W/ COperating  Junction  andT , T - 55  to  +150J  STGStorage  Temperature  RangeΟCMaximum  Lead  Temp.  for  SolderingT 300LPurposes,  1/8“ from  case  for  5-secondsThermal  ResistanceSymbol Characteristic Typ. Max. UnitsRθ Junction-to-Case -- 0.96JCΟRθ Case-to-Sink 0.5 --CS C/WRθ Junction-to-Ambient -- 62.5JARev. B1999 Fairchild Semiconductor CorporationN-CHANNELSSP6N70APOWER MOSFETΟ

700V N-Channel A-FET