600V N-Channel MOSFET SSP4N60B/SSS4N60BSSP4N60B/SSS4N60B600V N-Channel MOSFET

600V N-Channel MOSFET

600V N-Channel MOSFET FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect • 4.0A, 600V, R = 2.5Ω @V = 10 VDS(on) GStransistors are produced using Fairchild’s proprietary,• Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology.• Low Crss ( typical  14 pF)This advanced technology has been especially tailored to• Fast switchingminimize on-state resistance, provide superior switching• 100% avalanche testedperformance, and withstand high energy pulse in the• Improved dv/dt capabilityavalanche and commutation mode. These devices are well• TO-220F package isolation = 4.0kV (Note 6)suited for high efficiency switch mode power supplies.DG TO-220 TO-220FG D SG DSSSP Series SSS SeriesSAbsolute Maximum Ratings     T = 25°C unless otherwise notedCSymbol Parameter SSP4N60B SSS4N60B UnitsV Drain-Source Voltage 600 VDSSI - Continuous (T = 25°C)Drain Current 4.0 4.0 * AD C- Continuous (T = 100°C)2.5 2.5 * ACI (Note 1)Drain Current - Pulsed 16 16 * ADMVGate-Source Voltage ± 30 VGSSE (Note 2)Single Pulsed Avalanche Energy 240 mJASIAvalanche Current (Note 1) 4.0 AARE (Note 1)Repetitive Avalanche Energy 10 mJARdv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3) 5.5 V/nsP Power Dissipation (T = 25°C)100 33 WD C- Derate above 25°C 0.8 0.26 W/°CT , TOperating and Storage Temperature Range -55 to +150 °CJ STGMaximum lead temperature for soldering purposes,T300 °CL1/8" from case for 5 seconds* Drain current limited by maximum junction temperatureThermal Characteristics Symbol Parameter SSP4N60B SSS4N60B UnitsRThermal Resistance, Junction-to-Case Max. 1.25 3.79 °C/WθJCRThermal Resistance, Case-to-Sink Typ. 0.5 -- °C/WθCSRThermal Resistance, Junction-to-Ambient Max. 62.5 62.5 °C/WθJA2002 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. B, June 2002SSP4N60B/SSS4N60B

600V N-Channel MOSFET