600V N-Channel A-FET / Replaced by SSP10N60B FEATURESBV  =  600 VDSS   Avalanche  Rugged  TechnologyΩR =  0.8DS(on)     Rugged  Gate  Oxide  Technology    Lower  Input  CapacitanceI  =  9 AD   Improved  Gate  Charge   Extended  Safe  Operating  AreaTO-220μA   Lower  Leakage  Current  :  25 (Max.)  @  V = 600VDSΩ   Low  R :  0.646 (Typ.)DS(ON) 1231.Gate  2. Drain  3. SourceAbsolute  Maximum  RatingsSymbol Characteristic Value UnitsV Drain-to-Source Voltage600 VDSSoContinuous  Drain  Current  (T =25 )C 9CIADoContinuous  Drain  Current  (T =100 )C 5.7CIDrain  Current-Pulsed                              1 36 ADM O +V Gate-to-Source  Voltage_30 VGS2E Single  Pulsed  Avalanche  Energy         442O mJASI Avalanche  Current                                  19 AAR OE Repetitive  Avalanche  Energy                1 mJO 15.6AR3dv/dt Peak  Diode  Recovery  dv/dt               O 3.0 V/nsoTotal  Power  Dissipation  (T =25 ) WC 156CPD oLinear  Derating  Factor1.25 W/ COperating  Junction  andT , T - 55  to  +150J  STGStorage  Temperature  RangeoCMaximum  Lead  Temp.  for  SolderingT 300LPurposes,  1/8 “ from  case  for  5-secondsThermal  ResistanceSymbol Characteristic Typ. Max. UnitsRJunction-to-Case -- 0.8θJCoRCase-to-Sink 0.5 -- CθCS /WRJunction-to-Ambient -- 62.5θJARev. B1999 Fairchild Semiconductor CorporationN-CHANNELSSP10N60APOWER MOSFETo

600V N-Channel A-FET / Replaced by SSP10N60B