450V N-Channel B-FET FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect • 0.5A, 450V, R = 4.25Ω @V = 10 VDS(on) GStransistors are produced using Fairchild’s proprietary,• Low gate charge ( typical 6.5 nC)planar, DMOS technology.• Low Crss ( typical  6.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to• 100% avalanche testedminimize on-state resistance, provide superior switching• Improved dv/dt capabilityperformance, and withstand high energy pulse in the• Gate-Source Voltage  ± 50V guaranteedavalanche and commutation mode. These devices are wellsuited for electronic ballasts based on half bridgeconfiguration.D!!!!!!!!● ● ● ●● ● ● ●◀ ◀ ◀ ◀◀ ◀ ◀ ◀▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ▲● ● ● ●● ● ● ●G!!!!!!!!● ● ● ● ● ● ● ●TO-92 !!!!!!!!SSSN SeriesG D SAbsolute Maximum Ratings     T = 25°C unless otherwise notedCSymbol Parameter SSN1N45B UnitsV Drain-Source Voltage 450 VDSSI - Continuous (T = 25°C)Drain Current 0.5 AD C- Continuous (T = 100°C)0.32 ACI (Note 1)Drain Current - Pulsed 4.0 ADMVGate-Source Voltage ± 50 VGSSE (Note 2)Single Pulsed Avalanche Energy 108 mJASIAvalanche Current (Note 1) 0.5 AARE (Note 1)Repetitive Avalanche Energy 0.25 mJARdv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3) 5.5 V/nsPower Dissipation (T = 25°C) 0.9 WP ADPower Dissipation (T = 25°C)2.5 WL- Derate above 25°C 0.02 W/°CT , TOperating and Storage Temperature Range -55 to +150 °CJ stgMaximum lead temperature for soldering purposes,T 300 °CL1/8" from case for 5 secondsThermal Characteristics Symbol Parameter Typ Max UnitsR (Note 6a)Thermal Resistance, Junction-to-Lead -- 50 °C/WθJLRThermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 6b) -- 140 °C/WθJA2002 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. A, November 2002SSN1N45B

450V N-Channel B-FET