Small-signal MOSFET 2 in 1 Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Test Conditions Min. Typ. Max. UnitV I = -1 mA, V = 0 V -20 ⎯ ⎯  (BR) DSS D GSDrain-source breakdown voltage VV I = -1 mA, V = 8 V -12 ⎯ ⎯  (BR) DSX D GSDrain cutoff current I V = -20 V, V = 0 V ⎯ ⎯ -10 μADSS DS GSGate leakage current I V = ±8 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±1 μAGSS GS DSGate threshold voltage V V = -3 V, I = -1 mA -0.3 ⎯ -1.0 Vth DS DForward transfer admittance |Y| V = -3 V, I = -400 mA     (Note2) 850 ⎯ ⎯ mSfs DS DI = -400 mA, V = -4.5 V   (Note2) ⎯ 0.25 0.30 D GSI = -200 mA, V = -2.5 V   (Note2) ⎯ 0.34 0.44 D GSDrain-source on-resistance R ΩDS (ON)I = -100 mA, V = -1.8 V   (Note2) ⎯ 0.44 0.67 D GSI = -50 mA, V = -1.5 V    (Note2) ⎯ 0.55 1.04 D GSInput capacitance C ⎯ 110 ⎯ issOutput capacitance C V = -10 V, V = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 28 ⎯ pFDS GSossReverse transfer capacitance C ⎯ 20 ⎯ rssTotal Gate Charge Q ⎯ 1.76 ⎯ gV = -10 V, I = -720 mA DD DGate−Source Charge Q ⎯ 1.22 ⎯ nCgsV = -4.5 V GSGate−Drain Charge Q ⎯ 0.54 ⎯ gdTurn-on time t ⎯ 11 ⎯ on V = -10 V, I = -100 mA DD DSwitching time nsV = 0 to -2.5 V, R = 50 Ω Turn-off time t GS G 38 ⎯ ⎯ offDrain-source forward voltage V I = 720 mA, V = 0 V      (Note2)  0.85 1.2 V⎯ DSF D GSNote2: Pulse test   Switching Time Test Circuit  (a) Test circuit (b) V IN0 V 90% OUT 0  IN  10%  −2.5 V−2.5V R L V10 μs DS (ON) V DD90% (c) VOUT V = −10 V DD R = 50 Ω G 10%  V DDDuty ≤ 1% t t  r f V : t , t < 5 ns IN r f (Z = 50 Ω) outt t on off Common Source  Ta = 25°C Precaution Let V be the voltage applied between gate and source that causes the drain current (I ) to be low (-1mA for the th D SSM6P41FE). Then, for normal switching operation, V must be higher than V and V must be lower than GS(on) th, GS(off)V This relationship can be expressed as: V < V < V th. GS(off) th GS(on).Take this into consideration when using the device.        2 2014-03-01 R GSSM6P41FE      I – V I – V D DS D GS -1.6 -10Common Source Common Source-4.5 V -2.5 V -8 V Ta = 25 °C V = -3 V DS -1.4 Pulse test Pulse test -1 -1.2 -1.8 V -1.0  -0.1-1.5 V Ta = 100 °C -0.8  25 °C-0.01-0.6  − 25 °C  -0.4 VGS=-1.2 V-0.001 -0.2   0 -0.00010 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 0 -1.0 -2.0  Drain-source voltage  V  (V) DSGate-source voltage  V  (V) GS       R – V R – I DS (ON) GS DS (ON) D1.4 1.4 I = -100 mA  D Common Source Common Source  Ta = 25°C 1.21.2 Ta = 25°C Pulse test  Pulse test  1.0 1.0 0.80.8   -1.5 V0.60.6  -1.8 V25 °C  0.4 -2.5 V0.4 Ta = 100 °C  0.2 0.2 VGS = -4.5 V− 25 °C 0 0 0 -2 -4 -6 -8 0 -500 -1000 -1500 Gate-source voltage  V  (V) Drain current  I  (mA) GS D       V – Ta R – Ta DS (ON) th 1.0 -1.0 Common SourceCommon Source V = -3 V  DSPulse test -50 mA / -1.5 V 0.8 I = -1 mA D -100 mA / -1.8 V   0.6 -200 mA / -2.5 V  -0.5 0.4   I = -400 mA / V = -4.5 VD GS 0.2   0 0 −50 0 50 100 150 −50 0 100 15050  Ambient temperature  Ta  (°C) Ambient temperature  Ta  (°C)    3 2014-03-01 Drain-source on-resistance  Drain-source on-resistance R  (Ω) DS (ON)Drain current  I  (A) R  (Ω) DDS (ON)Drain-source on-resistance  R  (Ω) Gate threshold voltage  V  (V) DS (ON)Drain current  I  (A) th DSSM6P41FE    |Y | – I  fs D I – V DR DS10000 10000 Common SourceCommon Source V = 0 V  GSV = -3 V DSPulse test  Ta = 25°C 1000 DPulse test   1000 IG DR100  STa =100 °C 10 100 25 °C  1 −25 °C   0.110 -1 -10 -100 -1000 -10000 0 0.2 0.6 0.4 1.0 0.8 1.2  Drain current  I  (mA) Drain-source voltage  V  (V) DDS      t – IC – V D DS 100001000 Common Source V = -10 V DD V = 0 to -2.5 VGSt Ta = 25 °C  off1000300 R = 50Ω G t f C iss100100   t on10Common Source 30  Ta = 25°C C toss r f = 1 MHz C rss V = 0 V GS110  -0.1 -1 -10 -100-10 -100 -1000 -10000-1  Drain-Source voltage  V  (V) DSDrain current  I  (mA) D     P * – T  D a Dynamic Input Characteristic 250Mounted on FR4 board. -8  2Common Source (25.4mm × 25.4mm × 1.6mm , Cu Pad : 0.135 mm × 6) I = - 720 mA D 200Ta = 25°C -6   150 -4  VDD = - 10 V 100  VDD = - 16 V  -2 50  0  00 2 1 3 -40 -20 0 20 40 60 80 100 140 120 160  Total Gate Charge  Qg  (nC) Ambient temperature  Ta  (°C)  *:Total Rating  4 2014-03-01 Forward transfer admittance Capacitance  C  (pF) ⏐Y ⏐  (mS) fsGate-source voltage  V  (V) GSSwitching time  t  (ns) Drain reverse current  I  (mA) DRPower dissipation  P *  (mW) DSSM6P41FE RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET 2 in 1