Small-signal MOSFET 2 in 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 °C) (Q1,Q2 Common) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage V -30 V DSS Gate-source voltage V ± 20 V GSS  DC I -1.4 D 1.Source1 4.Source2 Drain current A 2.Gate1 5.Gate2 Pulse I -2.8 DP 3.Drain2 6.Drain1 Drain power dissipation  P (Note 1) 500 mW D Channel temperature T 150 °C  ch UF6 Storage temperature range T −55 to150 °C stg JEDEC ― Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high JEITA ― temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the TOSHIBA 2-2T1B reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating Weight: 7.0 mg (typ.) temperature/current/voltage, etc.) are within the

Small-signal MOSFET 2 in 1