Small-signal MOSFET 2 in 1 Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Test Conditions Min Typ. Max UnitV I = -1 mA, V = 0 V -20 ⎯ ⎯  (BR) DSS D GSDrain-source breakdown voltage VV I = -1 mA, V = 8 V -12 ⎯ ⎯  (BR) DSX D GSDrain cutoff current I V = -16 V, V = 0 V ⎯ ⎯ -10 μADSS DS GSGate leakage current I V = ±8 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±1 μAGSS GS DSGate threshold voltage V V = -3 V, I = -1 mA -0.3 ⎯ -1.0 Vth DS DForward transfer admittance |Y| V = -3 V, I = -100mA     (Note2) 190 ⎯ ⎯ mSfs DS DI = -100mA, V = -4.5 V   (Note2) ⎯ 0.95 1.31 D GSI = -80mA, V = -2.8 V    (Note2) ⎯ 1.22 1.60 D GSDrain-source ON-resistance R ΩDS (ON)I = -40mA, V = -1.8 V    (Note2) ⎯ 1.80 2.70 D GSI = -30mA, V = -1.5 V    (Note2) ⎯ 2.23 3.60 D GSInput capacitance C ⎯ 43 ⎯ issOutput capacitance C V = -10 V, V = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 10.3 ⎯ pFDS GSossReverse transfer capacitance C ⎯ 6.1 ⎯ rssTotal Gate Charge Q ⎯ 1.2 ⎯ gV = -10 V, I = -330mA DS DSGate−Source Charge Q ⎯ 0.85 ⎯ nCgsV = -4 V GSGate−Drain Charge Q ⎯ 0.35 ⎯ gdTurn-on time t ⎯ 90 ⎯ onV = -10 V, I = -100mA DD DSwitching time nsV = 0 to -2.5 V, R = 50Ω GS GTurn-off time t 200 ⎯ ⎯ offDrain-source forward voltage V I =330mA, V = 0 V      (Note2)  0.88 1.2 V⎯ DSF D GSNote2: Pulse test   Switching Time Test Circuit  (a) Test circuit (b) V IN0 VOUT  10% 0 IN   90% −2.5V R  −2.5 VL 10 μs V DD(c) V VOUT DS (ON) 90%  V = −10 V DD Duty ≤ 1% 10% V : t , t < 5 ns V IN r f DDt t  r f(Z = 50 Ω) outCommon Source t t on offTa = 25°C 2 2014-03-01 R GSSM6P36FE     I – V I – V D DS D GS  -700 -1000-8V -4.5V -2.8V -2.5V Common Source Common SourceTa = 25 °C V = -3 V  DS-600 -100 -500  -1.8 V Ta = 100 °C -400 -10  -300 25 °C-1.5 V − 25 °C -1 -200  V =-1.2 V GS -0.1-100   0 -0.010 -0.5 -1.0 -1.5 0 -1.0 -2.0   Drain-source voltage  V  (V) DSGate-source voltage  V  (V) GS        R – VR – I DS (ON) GS  DS (ON) D  5 5 I =-100mA Common SourceDCommon Source Ta = 25°C  Ta = 25°C 4 4   3 3-1.5 V  -1.8 V2 225 °C  -2.8 V Ta = 100 °C1 1 V = -4.5 VGS − 25 °C 0 00 -2 -4 -6 -80 -100 -200 -300 -400 -500 -600 -700  Gate-source voltage  V  (V) GSDrain current  I  (mA) D        R – Ta  V – Ta DS (ON) th -1.0 5 Common SourceCommon Source  V = -3 V DS 4 I = -1 mA D -40mA / -1.8 V -30mA / -1.5V 3  -80mA / -2.8 V -0.5  2   1 I = -100mA / V = -4.5 VD GS  0 0 −50 0 50 100 150−50 0 50 100 150   Ambient temperature  Ta  (°C) Ambient temperature  Ta  (°C)    3 2014-03-01 Drain-source ON-resistance Drain-source ON-resistance  R  (Ω) DS (ON)R  (Ω) DS (ON) Drain current  I  (mA) DDrain-source ON-resistance  R  (Ω) Gate threshold voltage  V  (V) DS (ON)Drain current  I  (mA) th D SSM6P36FE     I – V DR DS|Y | – I fs D 1000 1000 Common SourceCommon Source V = 0 V  GSV = -3 V DS D Ta = 25°C  100 300 G IDR  S 100 10Ta =100 °C  25 °C  30 1 −25 °C   0.110 -100  -1 -10 -1000 0 0.2 0.6 0.4 1.0 0.8 1.2  Drain current  I  (mA) Drain-source voltage  V  (V) DDS       t – IC – V D  DS  100 10000Common Source V = -10 V DD 50 V = 0 to -2.5 VGSC issTa = 25 °C  30 R = 50Ω G 1000toff  10 tfC  oss 5 C rss100ton Common Source 3  Ta = 25°C tr f = 1 MHz V = 0 V  GS1 10 -0.1 -1 -10 -100-1 -10 -100 -1000 Drain-source voltage  V  (V) DSDrain current  I  (mA) D        P * – Ta D Dynamic Input Characteristic 250Mounted on FR4 board. -8  2Common Source (25.4mm × 25.4mm × 1.6mm , Cu Pad : 0.135 mm × 6) I = -0.33 A D 200Ta = 25°C -6   150 V = -10V DD-4  V = - 16 V DD100   -2 150  0   00 2 1 3 -40 -20 0 20 40 60 80 100 140 120 160  *:Total Rating Total Gate Charge  Qg  (nC) Ambient temperature  Ta  (°C)  4 2014-03-01 Forward transfer admittance  ⎪Y ⎪  (mS) fsCapacitance  C  (pF) Gate-source voltage  V  (V) GSSwitching time  t  (ns) Drain reverse current  I  (mA) DRDrain power dissipation  P *  (mW) D  SSM6P36FE RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET 2 in 1