Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications Applications     
 Small package 
 Low on resistance : R = 3.3 Ω (max) (@V = −4 V) on GS  : R = 4.0 Ω (max) (@V = −2.5 V) on GS
 Low gate threshold voltage  Maximum Ratings  (Ta 



 25°C) (Q1, Q2 Common)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V 
20 V DS Gate-Source voltage V 12 V GSSDC I 
200 DDrain current mA Pulse I 
400 DPDrain power dissipation (Ta  25°C) P (Note1) 300 mW D  Channel temperature T 150 °C JEDEC ― chStorage temperature range T 
55~150 °C stgJEITA ― TOSHIBA 2-2J1C Note1: Total rating, mounted on FR4 board 2(25.4 mm  25.4 mm  1.6 t, Cu Pad: 0.32 mm  6) Weight: 6.8 mg (typ.)  Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  1 2002-01-17 SSM6P05FU Marking Equivalent Circuit  (top view) 6 5 4 654Q1D H Q21 2 3 123

Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications