Small-signal MOSFET 2 in 1 Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ MaxUnitGate leakage current I V = ± 20 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±10 μA GSS GS DSV I =10 mA, V = 0 V 60 ⎯ ⎯ (BR) DSS D GSDrain-source breakdown voltage V V I = 10 mA, V = -10 V 45 ⎯ ⎯ (BR) DSX D GSDrain cutoff current I V = 60 V, V = 0 V ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = 10 V, I = 0.25 mA 1.5 ⎯ 3.1 V th DS DForward transfer admittance ⎪Y ⎪ V = 10 V, I = 200 mA (Note 2) 225 ⎯ ⎯ mSfs DS DI = 500 mA, V = 10 V (Note 2) ⎯ 1.62 2.1 D GSDrain-source ON-resistance R Ω I = 100 mA, V = 5 V (Note 2) ⎯ 1.90 2.6 DS (ON) D GSI = 100 mA, V = 4.5 V (Note 2) ⎯ 2.10 3.3 D GSInput capacitance C ⎯ 17.0 ⎯ issReverse transfer capacitance C V = 25 V, V = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 1.9 ⎯ pF rss DS GSOutput capacitance C ⎯ 3.6 ⎯ ossTurn-on delay time td ⎯ 3.3 6.6 (on)V = 30 V , I = 200 mA , DD DSwitching time ns V = 0 to 10 V GSTurn-off delay time td ⎯ 14.5 40 (off)Drain-source forward voltage V I = -200 mA, V = 0 V (Note 2) ⎯ -0.84 -1.2 V DSF D GSNote2: Pulse test Switching Time Test Circuit  10 V (a) Test circuit (b) V 90 % IN OUT 10 V 10 %IN 0 V 0 R L V DD (c) V 10 % OUT 10 μs VDD V = 30 V DD90 % Duty ≤ 1%  VDS (ON)t t  r fV : t , t < 2 ns IN r f (Z = 50 Ω) out td(on)Common Source  td (off)Ta = 25 °C    Precaution Let V be the voltage applied between gate and source that causes the drain current (I ) to be low (0.25 mA for the th D SSM6N7002BFU). Then, for normal switching operation, V must be higher than V and V must be lower GS(on) th, GS(off)than V This relationship can be expressed as: V < V < V th. GS(off) th GS(on).Take this into consideration when using the device  Handling Precaution When handling individual devices that are not yet mounted on a circuit board, make sure that the environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear antistatic clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of antistatic materials. 2 2014-03-01 50 Ω SSM6N7002BFU (Q1,Q2 Common)   I – V I – V D DS D GS1000 1000Common Source Common Source Ta = 25 °C V = 10 V DS 10 V 7.0 V800 100 5.0 V600  4.5 V10Ta = 100 °C 400 1 4.0 V 25 °C-25 °C 200  3.5 V 0.1V = 3.3 VGS0 0.010 1.0 2.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 0 3.0 4.0 5.0 Drain–source voltage  V  (V) DSGate–source voltage  V  (V) GS  R – VR – I DS (ON) GS DS (ON) D55 I = 100 mA Common Source DCommon SourceTa = 25°C Ta = 25°C 4 433 Ta = 100 °C4.5 V 22 5.0 V 25 °CV = 10 V GS-25 °C11 00 0 10 2010 30 100 100 300 0Gate–source voltage  V  (V) GSDrain current  I  (mA) D  R – Ta V – Ta DS (ON) th5 3.0Common Source Common SourceV = 10 V DSI = 0.25 mA D4 2.03 100 mA / 4.5 V2 1.0I = 500 mA / V = 10 VD GS1 100 mA / 5.0V 0 0−50 0 50 100 150−50 0 50 100 150 Ambient temperature  Ta  (°C) Ambient temperature  Ta  (°C) 3 2014-03-01 Drain–source ON-resistance  Drain–source ON-resistance R  (Ω) Drain current  I  (mA) R  (Ω) DS (ON) DDS (ON) Gate threshold voltage  V  (V) Drain current  I  (mA) th DDrain–source ON-resistance R  (Ω) DS (ON)SSM6N7002BFU (Q1, Q2 Common)  I – V DR DS|Y | – I fs D1 1000Common SourceCommon Source V = 0 V GSV = 10 V DSTa = 25°C Ta = 25°C  0.3 800 D IG DR0.1 600S0.03 4000.01 2000.003 00.001 100 10001 10 0 -0.2 -0-0.4 -1 .6 -0.8 .0 -1.2 Drain current  I  (mA) Drain–source voltage  V  (V) DDS  t – IC – V D DS100 1000Common SourcetfV = 30 V DDV = 0 to 10 V 50 GSTa = 25 °C 30 td(off)100Ciss10 5 10Coss3 Common Source td(on)Ta = 25°C Crssf = 1 MHz trV = 0 V GS1 10.1 1 10 100 1 10 100 1000Drain–source voltage  V  (V) DSDrain current  I  (mA) D P * – Ta D500 Mounted on FR4 board. 2(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 0.32 mm × 6) 400 300 200 100 0 0 40 80 120 160*:Total Rating Ambient temperature  Ta  (°C)  4 2014-03-01  Capacitance  C  (pF) Forward transfer admittance  ⎪Y ⎪  (S) Drain power dissipation  P *  (mW) fsDSwitching time  t  (ns) Drain reverse current  I  (mA) DRSSM6N7002BFU RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET 2 in 1

Small-signal MOSFET 2 in 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common) 34Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage V 60 V DSS Gate-source voltage V ± 20 V GSSDC I 200 DDrain current mA Pulse I 800 DPUS6 Drain power dissipation (Ta = 25°C) P (Note 1) 300 mW D1.SOURCE1  4.SOURCE2  Channel temperature T 150 °C ch2.GATE1     5.GATE2     Storage temperature range T −55 to 150 °C 3.DRAIN2 6.DRAIN1 stgNote: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high JEDEC ― temperature/current/voltage and the significant change in JEITA SC-88 temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. TOSHIBA 2-2J1C operating temperature/current/voltage, etc.) are within the Weight: 6.8 mg (typ.)

Small-signal MOSFET 2 in 1