Small-signal MOSFET 2 in 1 Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)  Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnit V I = 0.1 mA, V = 0 V 30 ⎯ ⎯ (BR) DSS D GSDrain-Source breakdown voltage V V I = 0.1 mA, V = -10 V  (Note 3) 16 ⎯ ⎯ (BR) DSX D GSDrain cut-off current I V = 30 V, V = 0 V ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate leakage current I V = ±12 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 0.1 mA 0.8 ⎯ 1.5 V th DS DForward transfer admittance ⎪Y ⎪ V = 3 V, I = 10 mA (Note 2) 33 ⎯ ⎯ mS fs DS DI = 10 mA, V = 4 V (Note 2) ⎯ 2.0 3.2 D GSDrain-Source ON resistance R Ω DS (ON)I = 10 mA, V = 2.5 V (Note 2) ⎯ 3.0 5.4 D GSInput capacitance C ⎯ 15.1 ⎯ issReverse transfer capacitance C V = 3 V, V = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 7.8 ⎯ pF DS GSrssOutput capacitance C ⎯ 12.4 ⎯ ossTurn-on time t ⎯ 35 ⎯ on V = 5 V, I = 10 mA, DD DSwitching time ns V = 0 to 5 V, R = 50 Ω Turn-off time t GS G ⎯ 180 ⎯ offDrain-source forward voltage V I = -100 mA, V = 0 V (Note 2) ⎯ -0.83 -1.2 V DSF D GSNote 2: Pulse test Note 3: If a reverse bias is applied between gate and source, this device enters V(BR)DSX mode. Note that the drain-source breakdown voltage is lowered in this mode.   Switching Time Test Circuit  (a) Test circuit (b) V IN5 VOUT90% 5 V IN10% 0 0 V10 μs VDD (c) V VOUT DD90% V = 5 V DDR = 50 Ω G10% Duty ≤ 1% VDS (ON)t tr f V : t , t < 5 ns IN r fCommon Source t ton off Ta = 25°C  Precaution V can be expressed as voltage between gate and source when low operating current value is I = 0.1 mA for this th Dproduct. For normal switching operation, V  requires higher voltage than V and V requires lower voltage GS (on) th GS (off)than V . (Relationship can be established as follows: V < V < V ) th GS (off) th GS (on) Please take this into consideration for using the device.  Do not use this device under avalanche mode. It may cause the device to break down.  Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  2 2014-03-01 R GR LSSM6N48FU    I – V I – V D DS D GS  400 1000 10 V 4.0 V  100  3.0 V300  2.7 V 10 2.5 V Ta = 100 °C200  2.3 V− 25 °C1 VGS = 2.1 V 100 25 °C 0.1Common SourceCommon Source  V = 3 V  DSTa = 25 °C  Pulse test Pulse test  0 0.010 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 1.0 2.0 3.0 4.0   Drain-source voltage  V  (V) DS Gate-source voltage  V  (V) GS        R – VDS (ON) GS  R – I DS (ON) D  66 I = 10 mA 2.1 V D 2.3 V Common Source 2.5 V  Pulse test 5 52.7 V  3.0 V  44   25 °C 33 4.0 V   Ta = 100 °C22 VGS = 10 V  1 1Common Source− 25 °CTa = 25°C   Pulse test  00 0 400 0 100 200 300 2 6 4 8 10   Gate-source voltage  V  (V) GSDrain current  I  (mA) D       R – Ta  V – Ta DS (ON) th 6 2.0 Common Source  Common Source  Pulse test V = 3 V DS5  I = 0.1 mA D I = 10 m A / V = 2.5 V 4 D GS  3 1.0 10 m A / 4.0 V  10 m A / 10 V 2   1   0 0 −50 0 50 100 150−50 0 50 100 150  Ambient temperature  Ta  (°C)  Ambient temperature  Ta  (°C)     3 2014-03-01 Drain-source ON-resistance Drain-source ON-resistance  R  (Ω) R  (Ω) DS (ON) DS (ON)Drain current  I  (mA) D Gate threshold voltage  V  (V) th Drain current  I  (mA) DDrain-source ON-resistance  R  (Ω) DS (ON)SSM6N48FU     I – V |Y | – I DR DSfs D  1000 1000Common Source  V = 3 V DSTa = 25°C   Pulse test  100 100  25 °C 10Common Source V = 0 V  GS Pulse test Ta =100 °C10  D   1 G I DR −25 °C  S 0.11  1 10 100 1000 0 –0.5 –1.0 –1.5 Drain current  I  (mA) Drain-source voltage  V  (V) D DS      C – V DS t – ID   1000100  toff 50  30 tf 100 tonCiss 10  Cosst r5 10 Common SourceC rss3 Common Source V = 5 V  DDTa = 25°C V = 0 to 5 V GS f = 1 MHz Ta = 25 °C V = 0 V GS R = 50Ω G1 1 0.1 1 10 100 1 10 100 1000 Drain-source voltage  V  (V) DSDrain current  I  (mA) D      P * – T D a 500 Mounted on FR4 board.  2(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 0.32 mm × 6)  400    300   200   100    0 0 40 80 120 160 *:Total Rating Ambient temperature  Ta  (°C)    4 2014-03-01  Forward transfer admittance  ⎪Y ⎪  (mS) fsPower dissipation  P *  (mW) DCapacitance  C  (pF) Drain reverse current  I  (mA) Switching time  t  (ns) DRSSM6N48FU RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET 2 in 1