Small-signal MOSFET 2 in 1 Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. Max UnitV I = 1 mA, V = 0 V 20 ⎯ ⎯  (BR) DSS D GSDrain-Source breakdown voltage VV I = 1 mA, V = - 10 V 12 ⎯ ⎯  (BR) DSX D GSDrain cut-off current I V = 20 V, V = 0 V ⎯ ⎯ 1 μADSS DS GSGate leakage current I V = ±8 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±1 μAGSS GS DSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 1 mA 0.35 ⎯ 1.0 Vth DS DForward transfer admittance |Y| V = 3 V, I = 200 mA    (Note2) 420 840 ⎯ mSfs DS DI = 200 mA, V = 5.0 V  (Note2) ⎯ 0.46 0.63 D GSI = 200 mA, V = 4.5 V  (Note2) ⎯ 0.51 0.66 D GSDrain-Source ON resistance R I = 200 mA, V = 2.5 V  (Note2) ⎯ 0.66 0.85 ΩDS (ON) D GSI = 100 mA, V = 1.8 V  (Note2) ⎯ 0.81 1.14 D GSI = 50 mA, V = 1.5 V   (Note2) ⎯ 0.95 1.52 D GSInput capacitance C ⎯ 46 ⎯ issOutput capacitance C V = 10 V, V = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 10.8 ⎯ pFoss DS GSReverse transfer capacitance C ⎯ 7.3 ⎯ rssTotal Gate Charge Q ⎯ 1.23 ⎯ gV = 10 V, I = 0.5 A DD DGate−Source Charge Q ⎯ 0.60 ⎯ nCgsV = 4.0 V GSQ Gate−Drain Charge ⎯ 0.63 ⎯ gdTurn-on time t ⎯ 30 ⎯ on V = 10 V, I = 200 mA DD DSwitching time nsV = 0 to 2.5 V, R = 50 Ω Turn-off time t GS G ⎯ 75 ⎯ offDrain-source forward voltage V I = -0.5 A, V = 0 V    (Note2) ⎯ -0.88 -1.2 VDSF D GSNote2: Pulse test  Switching Time Test Circuit  (a) Test Circuit (b) V IN2.5 V 90% V = 10 V DD2.5 V OUT  R = 50 ΩG 10% IN 0 V Duty ≤ 1%  0 V : t , t < 5 ns IN r f VDDCommon Source  (c) V 90% OUT10 μs Ta = 25°C  10%  V DDVDS (ON)t tr f  t t on off  Usage Considerations Let V be the voltage applied between gate and source that causes the drain current (I ) to below (1 mA for the th D SSM6N43FU). Then, for normal switching operation, V must be higher than V and V must be lower than GS(on) th, GS(off)V This relationship can be expressed as: V < V < V th. GS(off) th GS(on).Take this into consideration when using the device.  Handling Precaution When handling individual devices that are not yet mounted on a circuit board, make sure that the environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear antistatic clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of antistatic materials.  2 2014-03-01 R GSSM6N43FU (Q1, Q2 Common)     I – V D DS I – V D GS  1000 1000 10 V 2.5 V  1.8 V4.5 V 800 100   Ta = 100 °C 600 101.5 V  400 1 − 25 °CVGS = 1.2 V 25 °C200  0.1Common Source Common Source V = 3 V DS Ta = 25 °C Pulse Test Pulse Test  0 0.010 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 1.0 2.0 3.0   Drain-source voltage  V  (V) DSGate-source voltage  V  (V) GS       R – VDS (ON) GS  R – I DS (ON) D  3 3I = 200mA Common Source D Common Source Ta = 25°C  Pulse Test Pulse Test   2 2   1.8 V25 °C  1.5 V1 1 Ta = 100 °C VGS = 4.5V − 25 °C2.5V 0 00 2 6 4 8 10 0 400 200 600 800 1000  Gate-source voltage  V  (V) GSDrain current  I  (mA) D       R – Ta  V – Ta DS (ON) th 1.5 1.0 Common Source Common Source I = 50m A / V = 1.5 VD GS Pulse Test V = 3 V DS 100m A / 1.8 V I = 1 mA D 200m A / 2.5 V 1.0  200m A / 4.5 V  0.5  200m A / 5.0 V0.5     0 0 −50 0 50 100 150−50 0 50 100 150  Ambient temperature  Ta  (°C)  Ambient temperature  Ta  (°C)  3 2014-03-01 Drain-source ON-resistance  Drain-source ON-resistance R  (Ω) DS (ON) Drain current  I  (mA) DR  (Ω) DS (ON) Drain-source ON-resistance Drain current  I  (mA) DGate threshold voltage  V  (V) thR  (Ω) DS (ON)SSM6N43FU (Q1, Q2 Common)    |Y | – I fs D I – V DR DS10000  1000Common Source  V = 3 V  DSTa = 25°C  3000 Pulse Test  100 1000  25 °C 300 10Common Source V = 0 V Ta =100 °C GS Pulse Test 100 D   1 IG DR30  −25 °C  S 10 0.1100  1 10 10000 –0.5 –1.0 –1.5 Drain current  I  (mA) DDrain-source voltage  V  (V) DS       C – V DS t – ID   1000100 Common Source toffV = 10 V DD 50 V = 0 to 2.5 VC GSiss t Ta = 25 °C f30 R = 50 Ω G   10 100C  oss C rss5  Common Source 3 t onTa = 25°C  f = 1 MHz trV = 0 V GS 1 10 0.1 1 10 100 1 10 100 1000  Drain-source voltage  V  (V) DSDrain current  I  (mA) D       P * – T D a Dynamic Input Characteristic  10 250 Mounted on a FR4 board Common Source 2  (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm , Cu Pad : 0.36 mm ×6) I = 0.5 A D Ta = 25°C 8 200  6 150  V = 10 V V = 16 V DD DD 4 100  2  50 0  0 2 1 3 0 -40 -20 0 20 40 60 80 100 140 120 160 Total Gate Charge  Qg  (nC) *: Total Rating Ambient temperature  Ta  (°C)   4 2014-03-01 Forward transfer admittance  ⎪Y ⎪  (mS) Gate-source voltage  V  (V) fsGSCapacitance  C  (pF) Drain reverse current  I  (mA) Switching time  t  (ns) DRDrain power dissipation P * (mW) D  SSM6N43FU RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET 2 in 1