Small-signal MOSFET 2 in 1 Electrical Characteristics  ( )  (Ta = 25°C) Q1, Q2 CommonCharacteristics Symbol Test Condition Min Typ. Max UnitGate leakage current I V = ±10 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±10 μAGSS GS DSDrain–source breakdown voltage V I = 0.1 mA, V = 0 V 20 ⎯ ⎯ V(BR) DSS D GSDrain cutoff current I V = 20 V, V = 0 V ⎯ ⎯ 1 μADSS DS GSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 1 mA 0.4 ⎯ 1.0 Vth DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = 3 V, I = 50 mA (Note 2) 115 ⎯ ⎯ mSfs DS DI = 50 mA, V = 4 V (Note 2) ⎯ 1.5 3 D GSI = 50 mA, V = 2.5 V (Note 2) ⎯ 2 4 D GSDrain–source ON-resistance R ΩDS (ON)I = 5 mA, V = 1.5 V (Note 2) ⎯ 3 8 D GSI = 5 mA, V = 1.2 V (Note 2) ⎯ 5 20 D GSInput capacitance C ⎯ 9.5 ⎯ issReverse transfer capacitance C V = 3 V, V = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 4.1 ⎯ pFDS GSrssOutput capacitance  C ⎯ 9.5 ⎯ oss115 Turn-on time t ⎯ ⎯ on V = 3 V, I = 50 mA DD DSwitching time nsV = 0 to 2.5 V Turn-off time t GS ⎯ 300 ⎯ offDrain–source forward voltage V I = - 180 mA, V = 0 V (Note 2) ⎯ -0.9 -1.2 VDSF D GSNote 2: Pulse test  Switching Time Test Circuit (a) Test Circuit (b) V IN2.5 V 90%  OUT  2.5V 10%IN 0 V  0  (c) V VOUT DD 10 μs V 90% DD V = 3 V  DD 10% VDS (ON)Duty ≤ 1%  t tr f V : t , t < 5 ns IN r f Common Source t ton off  Ta = 25°C   Handling Precaution When handling individual devices that are not yet mounted on a circuit board, make sure that the environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear antistatic clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of antistatic materials.  Usage Considerations Let V be the voltage applied between gate and source that causes the drain current (I ) to below (1 mA for the th D SSM6N35FU). Then, for normal switching operation, V must be higher than V and V must be lower than GS(on) th, GS(off)V This relationship can be expressed as: V < V < V th. GS(off) th GS(on).Take this into consideration when using the device.  2 2014-03-01 R GSSM6N35FU    I – V I – V D DS D GS1000400 Common Source Common Source 10 V 4 V 2.5 V Ta = 25°C V = 3 V DSPulse test Pulse test 100300 1.8 VTa = 100°C10200 25°C−25°C11.5 V100 0.1V = 1.2 VGS0 0.010 0.5 12 1.5 02 1 3Drain–source voltage  V  (V) Gate–source voltage  V  (V) DS GS  R – V R – V DS (ON) GS DS (ON) GS10 10Common Source Common Source I = 5 mA I = 50 mA D DPulse test Pulse test 5 525°C 25°C Ta = 100°CTa = 100°C−25°C −25°C0 00 4 2 6 8 10 0426 8 10Gate–source voltage  V  (V) Gate–source voltage  V  (V) GS GS  R – I R – Ta DS (ON) D DS (ON)10 10Common Source Common Source Ta = 25°C Pulse test Pulse test V = 1.2 V V = 1.2 V, I = 5 mAGS GS D5 51.5 V 1.5 V, 5 mA2.5 V 2.5 V, 50 mA4 V 4 V, 50 mA0 01 10 100 1000 −50 0 50 100 150Drain current  I  (mA) Ambient temperature  Ta  (°C) D 3 2014-03-01  Drain–source ON-resistance Drain–source ON-resistance Drain current  I  (mA) DR  (Ω) DS (ON)R  (Ω) DS (ON) Drain–source ON-resistance Drain–source ON-resistance Drain current  I  (mA) DR  (Ω) R  (Ω) DS (ON) DS (ON)SSM6N35FU    V – Ta th⎪Y ⎪ – I fs D1.0 1000Common SourceI = 1 mA D500V = 3 V DS300100500.5 30105Common Source V = 3 V 3 DSTa = 25°C Pulse test 0 1−50 50 0 100 1501 10 100 1000Ambient temperature  Ta  (°C) Drain current  I  (mA) D  I – V C – V DR DS DS1000 100Common Source  V = 0 V GSPulse test 50100 D I DR25°C 10 G S 10C issTa = 100°C −25°C 1 5C ossCommon Source V = 0 V GS0.1 f = 1 MHz C rssTa = 25°C 10.1 0.5 1 10 5 50 100 0.01 0 −0.5 −1 −1.5Drain–source voltage  V  (V) Drain–source voltage  V  (V) DS DS  t – I DP * – Ta 5000 D250Common Source3000 t V = 3 V off DDV = 0 to 2.5 VGSTa = 25°C 2001000 t f500 150300 100100 t on50 t r30 5010 00.1 1 10 100 10000 20 40 60 80 100 120 140 160Drain current  I  (mA) D*: Total Rating Ambient temperature  Ta  (°C)  4 2014-03-01    Drain reverse current  I  (mA) DRSwitching time  t  (ns) Gate threshold voltage  V  (V) th   Power dissipation  P *  (mW) DForward transfer admittance  ⎪Y ⎪  (mS) fsCapacitance  C  (pF) SSM6N35FU RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET 2 in 1