Small-signal MOSFET 2 in 1 Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1 , Q2 Common) Characteristic Symbol Test Conditions Min Typ. MaxUnitV  I = 1 mA, V = 0 20 ⎯ ⎯ (BR) DSS D GSDrain-source breakdown voltage V V  I = 1 mA, V = − 12 V 10 ⎯ ⎯ (BR) DSX D GSDrain cutoff current I V = 20 V, V = 0 ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate leakage current I V = ± 12 V, V = 0 ⎯ ⎯ ± 1 μA GSS GS DSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 1 mA 0.4 ⎯ 1.0 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = 3 V, I = 0.6 A (Note 2) 2.3 3.75 ⎯ S fs DS DI = 0.6 A, V = 4.0 V (Note 2) ⎯ 116 143 D GSDrain-source ON-resistance R mΩ DS (ON)I = 0.4 A, V = 2.5 V (Note 2) ⎯ 134 178 D GSI = 0.2 A, V = 1.8 V (Note 2) ⎯ 160 235 D GSInput capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 268 ⎯ pF iss DS GSpF Output capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 44 ⎯ oss DS GSpF Reverse transfer capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 34 ⎯ rss DS GSTurn-on time t ⎯ 9 ⎯ on V = 10 V, I = 0.25 A, DD DSwitching time ns V = 0 to 2.5 V, R = 4.7 Ω GS G Turn-off time t 16 ⎯ ⎯ offDrain-source forward voltage V I = − 0.8 A, V = 0 V        (Note 2) − 0.8 V ⎯ − 1.15DSF D GSNote 2 : Pulse test 1 2007-11-01 2.0±0.11.3±0.10.7±0.050.65 0.65+0.060.16-0.05+0.10.3-0.05SSM6N29TU Switching Time Test Circuit (a) Test Circuit (b) V IN  2.5 V90 %OUT 2.5 V IN 10 % 0 V0VDD(c) V 10 μs OUT10 % V DD90 % V = 10 V DDVDS (ON)R = 4.7 Ω tt G r f< D.U. 1% = t tV : t , t < 5 ns on off IN r fCommon Source Ta = 25 °C    Marking Equivalent Circuit (top view) 6 5 4 6 5 4   Q1 KK1  Q2  1 2 3 123    Precaution V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I =  1 mA for th Dthis product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a lower GS (on) th, GS (off)voltage than Vth. (The relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on).Take this into consideration when using the device.    Handling Precaution When handling individual devices that are not yet mounted on a circuit board, make sure that the environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear antistatic clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of antistatic materials. 2 2007-11-01 R GSSM6N29TU    ID - VGSI - VD DS10510 4.0 2.5141.8Ta = 85 °C0.131.525 °C0.012V = 1.2 VGS - 25 °C1 0.001Common SourceCommon SourceTa = 25 °CVDS = 3 V0 0.00010 0.2 0.4 0.6 0.8 1 01 2Gate-Source Voltage VGS (V)Drain-Source Voltage VDS (V)RDS(ON) - VGSR (ON) - TaDS300200Common SourceCommon Source180Ta = 25 °C2501601402001201.8 V , 0.2 A0.5 A100150ID = 0.2 A80 2.5 V , 0.5 A1 A1006040V = 4 V , I = 1 AGS D50200001 23 45 67 8 9 10-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160Gate-Source Voltage VGS (V)Ambient Temperature Ta( )℃RDS(ON) - IDVth - Ta2001Common Source180ID = 1 mA160 VDS = 3 V0.81401.8 V1200.61002.5 V800.4VGS = 4 V60400.2Common Source20 Ta = 25 °C0001 23 45 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160Ambient Temperature Ta(°C)Drain Current ID (A)3 2007-11-01 Drain-Source ON-Resistance Drain-Source ON-ResistanceRDS(ON) (mΩ) RDS(ON) (mΩ)Drain Current ID (A)Drain-Source ON-ResistanceDrain Current ID (A) RDS(ON) (mΩ)Gate Threshold Voltage Vth(V)SSM6N29TU  |Yfs| - IDIDR - VDS10.010Common SourceVGS = 0 VTa = 25 °C25 °C1D- 25 °CG IDR25 °CTa = 85 °C - 25 °C1.00.1STa = 85 °C0.01Common SourceVDS = 3 VTa = 25 °C0.10.0010.01 0.1 1 100 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1Drain-Source Voltage VDS (V)Drain Current ID (A)t - IDC - VDS10001000Common SourceVDD = 10 VVGS = 0 to 2.5 VtoffTa = 25 °CCiss100tf100ton10Common Source CosstrVGS = 0 VCrssf = 1 MHzTa = 25 °C10 10.1 1 10 100 0.01 0.1 1 10Drain Current ID (A)Drain-Source Voltage VDS (V)P - Ta Rth - twD1000 1000a :  Mounted on an FR4 board.      (25.4mm×25.4mm×1.6mm)      Cu Pad :25.4mm×25.4mm cb800b : Mounted on a ceramic board.      (25.4mm×25.4mm×0.8mm)b      Cu Pad :25.4mm×25.4mm100a600a Single pulsea : Mounted on a ceramic board.     (25.4mm×25.4mm×0.8mm)400     Cu Pad :25.4mm×25.4mm10b : Mounted on an FR4 board.     (25.4mm×25.4mm×1.6mm)     Cu Pad :25.4mm×25.4mm200c : Mounted on an FR4 Board     (25.4mm×25.4mm×1.6mm)     Cu Pad :0.45mm×0.8mm×3100.001 0.01 0.1 1 10 100 10000 20 40 60 80 100 120 140 160Pulse Width tw (S)Ambient Temperature Ta(°C)4 2007-11-01 Forward Transfer AdmittanceDrain Power Dissipation PD (mW)Capacitance C (pF) |Yfs| (S)Drain Reverse Current IDR (A)Transient Thermal Impedance Rth (°C/W)Switching Time t (ns)SSM6N29TU RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively “TOSHIBA”), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively “Product”) without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA’s written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product’s quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET 2 in 1